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  • 型号: PDTC123EU,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PDTC123EU,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123EU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123EU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123EU,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-70。您可以下载PDTC123EU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC123EU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTC123EU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管(内置偏置电阻的NPN型双极结型晶体管,BRT),集成了基极-发射极间10kΩ上拉电阻和基极-集电极间10kΩ反馈电阻(R1=R2=10kΩ),具有“1种电阻比、预偏置、无需外置偏置电路”的特点。

典型应用场景包括:  
✅ 数字逻辑电平转换与驱动:将微控制器(如GPIO 3.3V/5V)输出直接驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗MOSFET栅极;  
✅ 开关控制电路:在消费电子(如电视遥控接收模块、智能照明控制板)、家电(洗衣机面板指示灯、风扇调速信号接口)中用作高效、紧凑的低压侧开关;  
✅ 信号调理与反相器:利用其饱和开关特性实现简单反相逻辑功能(输入高→输出低),常用于传感器状态指示或硬件互锁电路;  
✅ 空间受限设计:SOT-323(SC-70)超小型封装,适用于便携设备、可穿戴产品及高密度PCB布局,显著减少外围元件数量与PCB面积。

该器件具备±50mA连续集电极电流(IC)、50V VCEO耐压、典型hFE≈160(IC=10mA),支持-65℃~+150℃工作温度,兼具可靠性与易用性,广泛用于成本敏感、设计周期短的嵌入式系统前端接口。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC123EU,115-

数据手册

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产品型号

PDTC123EU,115

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 20mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

568-11246-6

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

2.2 kOhms

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

2.2k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PDTC123EU T/R

频率-跃迁

-

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