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Datasheet下载- 型号： PDTC123EU,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PDTC123EU,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123EU,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123EU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123EU,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-70。您可以下载PDTC123EU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC123EU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PDTC123EU,115 是一款预偏置双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化电路设计。该器件属于数字晶体管类别，适用于需要紧凑、高可靠性开关功能的场景。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号切换与逻辑控制，因其小型化封装（SOT-23）节省空间。 2. 消费类电子产品：用于LED驱动、LCD背光控制、按键输入缓冲等低功率开关应用。 3. 工业控制：在微控制器接口、继电器驱动、传感器信号调理等场合实现电平转换和小电流开关。 4. 电源管理：作为负载开关或电源通断控制元件，提供稳定可靠的导通与关断功能。 5. 汽车电子：适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等非动力总成类应用，具备良好的温度稳定性（工作温度范围通常为-55°C至+150°C）。 PDTC123EU,115 内部集成基极与发射极电阻，减少外部元件数量，提高系统可靠性并降低生产成本。其典型直流电流增益（hFE）由内部电阻比值决定，便于设计人员快速选型与替换。总体而言，该器件适合对尺寸、功耗和可靠性要求较高的中低频开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC123EU,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC123EU,115 |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-11246-6 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC123EU T/R |
| 频率-跃迁 | - |
