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  • 型号: SMUN2111T3G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN2111T3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN2111T3G价格参考。ON SemiconductorSMUN2111T3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMUN2111T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMUN2111T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SMUN2111T3G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该器件集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,常用于需要快速开关和稳定偏置的场合。

主要应用场景包括:

1. 开关电路:由于其内置偏置电阻,适用于数字开关电路,如逻辑电平转换、继电器驱动、LED驱动等。

2. 放大电路:可用于低频信号放大器,如音频放大、传感器信号调理等场合。

3. 电源管理:在电源控制电路中作为开关元件,用于负载切换或电源路径控制。

4. 工业控制:在工业自动化系统中用于控制电机、风扇、继电器等负载。

5. 消费类电子产品:如手机、平板、智能家电中的电源开关或信号控制部分。

6. 汽车电子:适用于车载系统中对可靠性要求较高的控制电路,如车灯控制、风扇控制等。

该器件采用SOT-23封装,体积小、便于贴装,适合高密度PCB设计,且具备良好的稳定性和可靠性,适用于多种中低功率应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

SMUN2111T3G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

35 @ 5mA,10V

供应商器件封装

SC-59

功率-最大值

230mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

PNP - 预偏压

标准包装

10,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

频率-跃迁

-

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