Datasheet下载- 型号： IRFR2407PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR2407PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR2407PBF价格参考。International RectifierIRFR2407PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR2407PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR2407PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRFR2407PBF 是一款由IR（国际整流器公司，后被英飞凌收购）设计的N沟道功率MOSFET。它属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于各类电力电子系统中。 该器件的典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于高效地切换电流，提升能量转换效率。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器（如风扇、空调）及工业电机驱动中，作为开关元件控制电机转速与方向。 3. 负载开关：用于控制高功率负载的开启与关闭，例如LED照明、加热元件或电池充放电管理。 4. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块（BCM）、车载充电器等场景，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 5. 工业自动化：如PLC（可编程逻辑控制器）、变频器、伺服驱动器等设备中，实现快速、精确的功率控制。 IRFR2407PBF具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和耐高温特性，适合中高功率应用，尤其适用于需要高效率和小型化设计的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 42A DPAKMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 74nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 42 A |
| Id-连续漏极电流 | 42 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR2407PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR2407PBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 74 nC |
| Qg-栅极电荷 | 74 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 90 ns |
| 下降时间 | 66 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 26 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 74 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 27 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 42 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru2407.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru2407.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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