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  • 型号: FQPF44N08
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF44N08由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF44N08价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF44N08封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF44N08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF44N08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF44N08 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性等优点,适合用于需要高效能开关操作的场景。

主要应用场景包括:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,作为高效的功率开关使用。
2. 电机控制:在直流电机驱动器或无刷电机控制系统中,作为H桥电路中的开关元件。
3. 负载开关:用于控制大电流负载的开启与关闭,例如LED照明、加热元件等。
4. 逆变器系统:在太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中,作为核心的功率转换元件。
5. 汽车电子:如车载充电系统、电动工具、电池管理系统(BMS)等对可靠性和效率要求较高的场合。

由于其封装形式为TO-220FP,便于散热设计,因此适用于中高功率应用环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQPF44N08

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1430pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

34 毫欧 @ 12.5A,10V

供应商器件封装

TO-220F

功率-最大值

41W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Tc)

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