Datasheet下载- 型号： SIHF18N50D-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHF18N50D-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHF18N50D-E3价格参考。VishaySIHF18N50D-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHF18N50D-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHF18N50D-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIHF18N50D-E3是一款N沟道MOSFET，其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于开关电源中的高频开关应用，能够高效地控制电压和电流的转换，具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗。 2. 电机驱动：在小型电机驱动电路中，SIHF18N50D-E3可以作为开关元件使用，用于控制电机的启动、停止和速度调节。其耐压能力（500V）使其适合高压电机驱动环境。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，这款MOSFET可用于将直流电转换为交流电，支持高效的能量转换过程。 4. DC-DC转换器：该器件适用于各种DC-DC转换器设计，能够提供稳定的电压输出，同时保持较高的效率。 5. 负载切换：在需要频繁开启或关闭高电压负载的应用中，如工业设备或汽车电子系统，SIHF18N50D-E3可以作为负载切换开关。 6. 保护电路：由于其高耐压特性，该MOSFET常用于过压保护、短路保护等电路中，确保系统的安全运行。 7. 家电与消费电子产品：例如洗衣机、空调、风扇等家用电器中，该MOSFET可用于控制电路以实现节能和性能优化。 总之，SIHF18N50D-E3凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点，在电力电子领域有着广泛的应用前景，特别适合需要高效能和高可靠性的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FPMOSFET 500V 280mOhm@10V 18A N-Ch D-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHF18N50D-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHF18N50D-E3SIHF18N50D-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 39 W |
| Pd-功率耗散 | 39 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 76nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 整包 |
| 其它名称 | SIHF18N50DE3 |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
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