Datasheet下载- 型号： MMBFJ175LT1
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ175LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ175LT1价格参考。ON SemiconductorMMBFJ175LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBFJ175LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ175LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBFJ175LT1是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于小型表面贴装器件，广泛应用于模拟和高频电路中。其主要应用场景包括： 1. 低噪声放大器：由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，MMBFJ175LT1常用于音频放大器、前置放大器和传感器信号调理电路中，尤其适用于对信号保真度要求较高的场合。 2. 射频（RF）电路：该器件具备良好的高频响应性能，适合用在射频放大器、混频器和调制解调电路中，常见于无线通信设备、射频接收模块等。 3. 开关应用：可作为高速模拟开关使用，在采样保持电路、多路复用器和电源管理电路中实现信号通断控制。 4. 振荡器与缓冲器：凭借稳定的跨导特性和良好的线性度，适用于各类LC或RC振荡电路以及电压跟随器（缓冲器）设计。 5. 便携式电子设备：采用SOT-23封装，体积小、功耗低，适合智能手机、可穿戴设备、便携式仪器等空间受限的应用。 总之，MMBFJ175LT1因其优异的电气性能和紧凑封装，广泛用于需要高输入阻抗、低噪声和高频工作的模拟电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET P-CH 30V 225MW SOT23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBFJ175LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 3V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 7mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11pF @ 10V（VGS） |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBFJ175LT1OSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | 125 欧姆 |
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