【未分类_2SC3646T-P-TD-E】封装/厂家_2SC3646T-P-TD-E中文资料_价格

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型号： 2SC3646T-P-TD-E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2SC3646T-P-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC3646T-P-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SC3646T-P-TD-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2SC3646T-P-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC3646T-P-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2SC3646T-P-TD-E 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该型号的晶体管广泛应用于需要高频、高增益和低噪声特性的电路中，其主要应用场景包括：

1. 射频（RF）放大器：  
   2SC3646T-P-TD-E 具有优异的高频特性，适合用于射频信号的放大，例如在通信设备、无线模块和广播系统中的 RF 前端放大器。

2. 音频前置放大器：  
   由于其低噪声特性和高增益性能，该晶体管适用于音频设备中的前置放大器，能够有效放大微弱的音频信号，同时保持较低的失真。

3. 混频器和调制器：  
   在无线通信和信号处理领域，该晶体管可用于实现混频器和调制器功能，支持频率转换和信号调制。

4. 振荡器电路：  
   该型号的晶体管可作为核心元件构建振荡器，用于生成稳定的高频信号，适用于时钟电路或信号发生器。

5. 开关电路：  
   虽然 2SC3646T-P-TD-E 更侧重于模拟信号处理，但在某些低功率应用中，它也可以用作简单的开关器件，例如驱动小型负载或控制逻辑电路。

6. 工业控制和传感器接口：  
   在工业自动化领域，该晶体管可用于放大传感器输出信号或将信号传递到后续处理阶段。

7. 测试与测量设备：  
   高精度测试仪器中可能使用该晶体管来放大微弱信号，确保测量结果的准确性。

总结来说，2SC3646T-P-TD-E 的高频、低噪声和高增益特性使其成为射频、音频和通信领域的重要元件，适合需要高性能信号放大的各种应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS NPN BIPO 1A 100V
产品分类	晶体管(BJT) - 单路
品牌	ON Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	2SC3646T-P-TD-E
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	400mV @ 40mA，400mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	200 @ 100mA，5V
供应商器件封装	PCP
功率-最大值	500mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-243AA
晶体管类型	NPN
标准包装	1,000
电压-集射极击穿（最大值）	100V
电流-集电极(Ic)（最大值）	1A
电流-集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
频率-跃迁	120MHz