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  • 型号: NJD35N04G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NJD35N04G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJD35N04G价格参考。ON SemiconductorNJD35N04G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJD35N04G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJD35N04G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NJD35N04G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型双极性晶体管(BJT),属于单晶体管类别。它是一种低电压、高电流的功率晶体管,具有 40V 的最大集电极-发射极击穿电压 (VCEO) 和高达 2A 的连续集电极电流 (IC)。以下是 NJD35N04G 的主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - NJD35N04G 可用于开关电源中的驱动电路或保护电路。其低饱和电压 (VCE(sat)) 特性使其在高频开关应用中表现出较低的功耗。
   - 它可以作为小型 DC-DC 转换器中的开关元件,适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等消费类电子设备。

 2. 电机驱动
   - 该晶体管适合驱动小型直流电机或步进电机。由于其较高的电流承载能力,可以满足电机启动和运行时的电流需求。
   - 在电机控制电路中,NJD35N04G 可用作功率放大级或开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。

 3. 音频功率放大器
   - NJD35N04G 可用于设计小型音频功率放大器,特别是在需要高效能和低失真的场合。其良好的增益特性和热稳定性有助于提供清晰的音质输出。
   - 它通常与 PNP 型晶体管配合使用,组成推挽式放大器结构。

 4. 负载切换
   - 在各种嵌入式系统中,NJD35N04G 可用作负载切换开关。例如,在汽车电子、家用电器或工业控制系统中,用于控制 LED 灯、继电器或其他低功率负载的通断。

 5. 信号放大
   - 该晶体管也可用于信号放大电路,特别是在需要处理较高电流或电压的应用中。例如,它可以放大传感器信号或将弱电信号转换为驱动更强负载的能力。

 6. 保护电路
   - NJD35N04G 可用于过流保护、短路保护或过温保护电路中。通过检测异常情况并切断电路,确保系统的安全运行。

 总结
NJD35N04G 的主要优势在于其高电流能力、低饱和电压以及出色的热稳定性,适用于多种功率控制和信号处理场景。无论是消费电子产品、工业设备还是汽车应用,这款晶体管都能提供可靠的性能支持。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK达林顿晶体管 POWER DARL TRANSIST

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor NJD35N04G-

数据手册

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产品型号

NJD35N04G

PCN组件/产地

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 20mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

2000 @ 2A,2V

产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

DPAK-3

其它名称

NJD35N04G-ND
NJD35N04GOS

功率-最大值

45W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

TO-252-3 (DPAK)

工厂包装数量

75

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

4 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

75

电压-集射极击穿(最大值)

350V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

50µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

2000, 300

系列

NJD35N04

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

350 V

集电极—基极电压VCBO

700 V

频率-跃迁

90MHz

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