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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NJD35N04G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJD35N04G价格参考。ON SemiconductorNJD35N04G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJD35N04G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJD35N04G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NJD35N04G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型双极性晶体管(BJT),属于单晶体管类别。它是一种低电压、高电流的功率晶体管,具有 40V 的最大集电极-发射极击穿电压 (VCEO) 和高达 2A 的连续集电极电流 (IC)。以下是 NJD35N04G 的主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - NJD35N04G 可用于开关电源中的驱动电路或保护电路。其低饱和电压 (VCE(sat)) 特性使其在高频开关应用中表现出较低的功耗。 - 它可以作为小型 DC-DC 转换器中的开关元件,适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等消费类电子设备。 2. 电机驱动 - 该晶体管适合驱动小型直流电机或步进电机。由于其较高的电流承载能力,可以满足电机启动和运行时的电流需求。 - 在电机控制电路中,NJD35N04G 可用作功率放大级或开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 音频功率放大器 - NJD35N04G 可用于设计小型音频功率放大器,特别是在需要高效能和低失真的场合。其良好的增益特性和热稳定性有助于提供清晰的音质输出。 - 它通常与 PNP 型晶体管配合使用,组成推挽式放大器结构。 4. 负载切换 - 在各种嵌入式系统中,NJD35N04G 可用作负载切换开关。例如,在汽车电子、家用电器或工业控制系统中,用于控制 LED 灯、继电器或其他低功率负载的通断。 5. 信号放大 - 该晶体管也可用于信号放大电路,特别是在需要处理较高电流或电压的应用中。例如,它可以放大传感器信号或将弱电信号转换为驱动更强负载的能力。 6. 保护电路 - NJD35N04G 可用于过流保护、短路保护或过温保护电路中。通过检测异常情况并切断电路,确保系统的安全运行。 总结 NJD35N04G 的主要优势在于其高电流能力、低饱和电压以及出色的热稳定性,适用于多种功率控制和信号处理场景。无论是消费电子产品、工业设备还是汽车应用,这款晶体管都能提供可靠的性能支持。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK达林顿晶体管 POWER DARL TRANSIST |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor NJD35N04G- |
数据手册 | |
产品型号 | NJD35N04G |
PCN组件/产地 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.5V @ 20mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 2000 @ 2A,2V |
产品种类 | 达林顿晶体管 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
其它名称 | NJD35N04G-ND |
功率-最大值 | 45W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 4 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 75 |
电压-集射极击穿(最大值) | 350V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
电流-集电极截止(最大值) | 50µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 2000, 300 |
系列 | NJD35N04 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 350 V |
集电极—基极电压VCBO | 700 V |
频率-跃迁 | 90MHz |