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PUMH4,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH4,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH4,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMH4,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载PUMH4,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMH4,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMH4,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个 NPN 晶体管,每个均集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁=10kΩ,R₂=22kΩ),支持直接逻辑电平驱动,无需外部偏置电路。其主要应用场景包括: - 数字逻辑接口与电平转换:常用于微控制器(如ARM、AVR、PIC)GPIO端口驱动LED、继电器或小功率负载,实现5V/3.3V TTL/CMOS信号到负载的可靠开关控制。 - LED驱动与指示电路:因具备内置偏置电阻,可简化PCB设计,广泛应用于消费电子(如电视遥控器、机顶盒)、工业面板的多路LED状态指示。 - 小型负载开关与信号路由:适用于低电流(IC max ≈ 100mA)、中低频(fT ≈ 170MHz)场景,如传感器使能控制、蜂鸣器驱动、I²C总线缓冲等。 - 空间受限的嵌入式系统:采用SOT-363(SC-70-6)微型封装,节省面积,适合便携设备、可穿戴产品及高密度PCB设计。 该器件具备ESD保护(HBM >2kV)、高增益(hFE = 160–400)、低饱和压降(VCE(sat) < 0.15V @ IC=10mA),兼具可靠性与易用性,是替代分立BJT+电阻方案的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH4,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMH4,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 1mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6553-2 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMH4 T/R |
| 频率-跃迁 | - |