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PUMH4,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH4,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH4,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMH4,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载PUMH4,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMH4,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMH4,115是Nexperia USA Inc.生产的一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内部集成了一个带内置偏置电阻的NPN晶体管。该器件采用小型SOT-23封装,具有高集成度和简化电路设计的优点。 其主要应用场景包括便携式电子设备和消费类电子产品中的信号切换与电平转换。由于内置偏置电阻,PUMH4,115无需外接基极电阻,可显著减少PCB面积,适用于空间受限的设计,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。此外,它也常用于LED驱动电路、逻辑缓冲器、接口电路以及小型继电器或蜂鸣器的开关控制。 该器件具备良好的开关特性与稳定性,适合低电流、低电压工作环境,典型应用在直流负载开关、微控制器I/O扩展和传感器信号调理电路中。其高可靠性与小尺寸使其在工业控制、家用电器和通信模块中也有广泛应用。总体而言,PUMH4,115是一款高效、紧凑的解决方案,适用于需要简化设计、节省空间并提升生产良率的中低端功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH4,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMH4,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 1mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6553-2 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMH4 T/R |
| 频率-跃迁 | - |