Datasheet下载- 型号： MUN5137DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5137DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5137DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5137DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5137DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5137DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5137DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置电阻，采用SOT-26封装。该器件集成了两个带有内置基极和发射极电阻的NPN晶体管，简化了电路设计，减少了外围元件数量。 其主要应用场景包括： 1. 消费类电子产品：广泛用于手机、平板、电视等设备中的信号切换、电平转换和小型负载驱动，因其集成电阻可缩小PCB面积，适合高密度布局。 2. 电源管理与开关控制：在LED驱动、继电器或小功率MOSFET的驱动电路中，作为开关元件使用，实现高效通断控制。 3. 工业与汽车电子：适用于传感器信号调理、逻辑缓冲、电机控制模块等环境，具备良好的温度稳定性和可靠性，满足汽车级工作温度要求（-40°C至+125°C）。 4. 便携式设备：由于功耗低、响应快，常用于电池供电设备中的低电流开关应用，如智能穿戴设备、无线模块控制等。 5. 数字逻辑接口：在微控制器与高电压/高电流负载之间提供隔离与驱动，实现安全可靠的信号传递。 MUN5137DW1T1G凭借其高集成度、简化设计和稳定性能，特别适合需要节省空间、提高生产效率并保证可靠性的中低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SC88 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5137DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MUN5137DW1T1GOS |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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