| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5115DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5115DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5115DW1T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5115DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5115DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5115DW1T1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管阵列,常用于需要简化电路设计、提高稳定性的场合。其主要应用场景包括: 1. 逻辑电平转换:适用于数字电路中不同电压电平之间的信号转换,如将3.3V系统控制信号转换为5V输出。 2. 驱动继电器或LED:该器件具备足够的电流驱动能力,适合用作小型继电器、LED显示屏或多色LED的开关控制。 3. 接口电路:在微控制器与外围设备之间作为缓冲或信号放大器,减少外部电路对主控芯片的影响。 4. 传感器信号调理:可用于低频模拟信号的放大和处理,尤其适合集成度要求高、空间受限的设计。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能家电等内部小功率开关电路中。 6. 工业控制模块:用于PLC、自动化设备中的信号控制与隔离。 由于其内置偏置电阻,可省去外部偏置元件,从而简化PCB布局并提升可靠性,特别适合批量生产和高密度组装场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5115DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5115DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 at 5 mA at 10 V |
| 系列 | MUN5115DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |