【未分类_SMUN5313DW1T3G】封装/厂家_SMUN5313DW1T3G中文资料_价格

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型号： SMUN5313DW1T3G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5313DW1T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5313DW1T3G价格参考。ON SemiconductorSMUN5313DW1T3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SMUN5313DW1T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5313DW1T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SMUN5313DW1T3G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型。该型号的器件通常应用于以下场景：

1. 信号切换与放大：  
   SMUN5313DW1T3G 的设计使其非常适合用于低功率信号的切换和放大。其预偏置特性可以简化电路设计，尤其在需要稳定增益的应用中，如音频信号处理、传感器信号调理等。

2. 模拟开关：  
   由于其双极晶体管阵列结构，该器件可作为模拟开关使用，适用于多路复用器或解复用器的设计。它能够快速切换不同输入信号，并保持较低的导通电阻。

3. 驱动应用：  
   该型号可用于驱动小型负载，例如 LED 指示灯、继电器或其他低功率设备。预偏置功能有助于优化驱动电流，确保负载稳定工作。

4. 电源管理：  
   在某些低功耗系统中，SMUN5313DW1T3G 可用于简单的电源管理任务，例如电压调节或电流限制电路。它的紧凑封装形式适合空间受限的设计。

5. 通信与接口电路：  
   该晶体管阵列适合用作通信接口中的电平转换或信号缓冲。例如，在 RS-232、UART 或其他串行通信协议中，它可以帮助调整信号幅度以匹配不同的逻辑电平。

6. 消费电子与家电控制：  
   在家用电器或消费电子产品中，这款 BJT 阵列可以用来实现按键检测、显示驱动或电机控制等功能。

7. 测试与测量设备：  
   由于其高精度特性和预偏置设计，SMUN5313DW1T3G 还常用于测试仪器中的信号生成或采集电路。

总之，SMUN5313DW1T3G 凭借其高性能和灵活性，广泛应用于各种低功率电子系统中，特别是在需要多通道信号处理或简单驱动功能的情况下表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SMUN5313DW1T3G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 300µA， 10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	80 @ 5mA，10V
供应商器件封装	SOT-363
功率-最大值	187mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
晶体管类型	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
标准包装	10,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	47k
电阻器-基底(R1)(Ω)	47k
频率-跃迁	-