Datasheet下载- 型号： RN2904FE,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2904FE,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2904FE,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2904FE,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2904FE,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2904FE,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba半导体与存储推出的RN2904FE,LF是一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置两个偏置电阻，适用于中低电流开关和信号放大应用。该器件采用小型SOT-26封装，节省电路板空间，适合高密度布局设计。 RN2907FE,LF广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的逻辑电平转换、LED驱动控制、小信号开关及接口电路。其内置的偏置电阻简化了外部电路设计，无需额外配置基极电阻，提高了生产一致性并降低了元件数量与成本。 在工业控制领域，该器件可用于传感器信号调理、继电器驱动、微控制器I/O扩展等场景，具备良好的稳定性和可靠性。此外，也适用于电源管理模块中的开关控制，如DC-DC转换器的使能信号处理。 RN2904FE,LF具有较高的直流电流增益和快速开关响应特性，工作温度范围宽（通常为-55°C至+150°C），适应严苛环境下的运行需求。同时符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品绿色制造要求。 综上，RN2904FE,LF凭借其集成化设计、高可靠性和紧凑封装，是各类小型化、低功耗电子系统中理想的晶体管解决方案，特别适合需要简化设计、提升稳定性的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN DUAL PNP 50V 100A ES6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2904FE |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN2904FE,LF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 其它名称 | RN2904FELFDKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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