ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMD6,135
Datasheet下载- 型号： PUMD6,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD6,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD6,135价格参考。NXP SemiconductorsPUMD6,135封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD6,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD6,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMD6,135 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻网络（含两个 NPN 晶体管，共发射极配置，各带基极-发射极和基极-集电极电阻），采用 SOT-363（SC-88）小型封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、PIC、ESP系列）GPIO输出驱动LED、小型继电器或光耦输入端，简化外围偏置电路设计； 2. LED 矩阵/段式显示驱动：双通道结构便于驱动共阴极LED数码管的位选或段选，提升PCB布局效率； 3. 电源管理信号切换：用于负载开关控制、LDO使能信号调理或电池供电设备中的低功耗唤醒/复位电路； 4. 工业I/O模块：在PLC输入缓冲、传感器信号整形（如将OC门输出转为标准逻辑电平）中提供可靠、一致的开关特性； 5. 消费电子待机控制：如电视、机顶盒中实现主控MCU对次级电源域的快速启停控制，利用其低输入驱动电流（典型IIN ≈ 10 μA @ VIN=1.8V）降低系统待机功耗。 该器件支持1.8V–5.5V宽输入电压范围，具备ESD防护（HBM >2kV），适合高密度、低成本、高可靠性要求的便携及嵌入式应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMD6,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1A，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934055430135 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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