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  • 型号: UMC5NTR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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UMC5NTR产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供UMC5NTR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMC5NTR价格参考¥9.25-¥26.19。ROHM SemiconductorUMC5NTR封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA, 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5。您可以下载UMC5NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UMC5NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

UMC5NTR 是罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的双极型晶体管(BJT)阵列,属于预偏置类型。这种器件通常用于需要高精度、低噪声和稳定性能的应用场景。以下是 UMC5NTR 的主要应用场景:

 1. 音频放大器
   - UMC5NTR 的预偏置特性使其非常适合用作音频放大器中的驱动级或输出级。
   - 在音频电路中,它可以提供低失真和高保真度的信号放大,适用于耳机放大器、音响系统和乐器效果器。

 2. 运算放大器和线性稳压器
   - 这种晶体管阵列可用于构建高性能的运算放大器或线性稳压器。
   - 预偏置设计有助于提高电路的稳定性和响应速度,适合对电源管理有严格要求的设备。

 3. 传感器信号调理
   - 在工业自动化和物联网领域,UMC5NTR 可用于传感器信号的放大和调理。
   - 它能够处理微弱的模拟信号,同时保持低噪声和高增益,适用于压力传感器、温度传感器等应用。

 4. 射频(RF)和通信电路
   - 由于其高频特性和稳定的电流增益,UMC5NTR 可用于射频前端模块、混频器和调制解调器中。
   - 它在无线通信设备、蓝牙模块和射频识别(RFID)系统中表现出色。

 5. 测试与测量设备
   - 在精密仪器和测试设备中,UMC5NTR 可作为关键元件用于信号放大和处理。
   - 其高精度和稳定性使其成为示波器、信号发生器和其他测量工具的理想选择。

 6. 电机控制和驱动电路
   - UMC5NTR 可用于小功率电机驱动电路中,提供精确的电流控制。
   - 它能够实现平稳的电机启动和停止,适用于风扇、泵和其他小型机电设备。

 7. 电源保护电路
   - 该晶体管阵列可以用于过流保护、短路保护和电压调节电路。
   - 其快速响应能力和鲁棒性确保了系统的可靠性和安全性。

总之,UMC5NTR 凭借其预偏置设计和优异的电气特性,在需要高精度、低噪声和稳定性能的电子电路中具有广泛的应用价值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN/PNP UMT5开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL DIG SMT PNP/NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor UMC5NTR-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

UMC5NTR

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

68 @ 5mA,5V / 30 @ 10mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

UMT5

其它名称

UMC5NTRCT
UMC5NTRCT-ND

典型电阻器比率

1 at NPN, 0.47 at PNP

典型输入电阻器

47 kOhms at NPN, 4.7 kOhms at PNP

功率-最大值

150mW

功率耗散

150 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353

封装/箱体

UM-5

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

30mA,100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k,10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

47k,4.7k

直流集电极/BaseGainhfeMin

68

配置

Dual Common Base and Collector

集电极连续电流

+ 30 mA, - 100 mA

频率-跃迁

250MHz

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