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Datasheet下载- 型号： PBLS4005D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBLS4005D,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS4005D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS4005D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS4005D,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 700mA 150MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBLS4005D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS4005D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS4005D,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个独立的 NPN 晶体管，各集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10 kΩ，R₂=10 kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）GPIO端口驱动LED、继电器或小型负载，简化电路设计，提升抗干扰能力； - 小信号开关与缓冲：适用于低功耗、中速（fₜ ≈ 180 MHz）开关应用，如电源使能控制、状态指示切换、传感器信号调理前端； - 汽车电子模块：符合AEC-Q101标准（注：需确认具体批次认证），可用于车身控制单元（BCM）、照明控制、风扇驱动等对可靠性要求较高的12V车载系统； - 工业与消费类设备：如智能电表、家电控制板、IoT终端中的多路信号隔离/驱动，利用其紧凑的SOT-666封装（节省PCB面积）及稳定预偏置特性降低BOM成本与设计复杂度。 该器件不适用于大电流（IC max = 100 mA）、高电压（VCEO = 50 V）或高频模拟放大场景，但凭借集成电阻、高增益（hFE = 160–400）及ESD防护（HBM > 4 kV），在成本敏感、空间受限的数字开关应用中具有显著优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PBLS4005D,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBLS4005D,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 310mV @ 100mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V / 300 @ 100mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7245-1 |
| 典型电阻器比率 | 1 at NPN |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms at NPN |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA at NPN, 1000 mA at PNP |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，700mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V at NPN, 40 V at PNP |
| 零件号别名 | PBLS4005D T/R |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
