Datasheet下载- 型号： NSBA115EDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA115EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA115EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBA115EDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA115EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA115EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的型号NSBA115EDXV6T1G是一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个NPN型BJT晶体管，并内置基极-发射极和基极-集电极电阻，简化了外围电路设计。该器件采用SOT-563（SC-88）小型封装，适合高密度贴装。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于体积小、功耗低，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换、电平转换和逻辑控制电路。 2. 电源管理与开关控制：在电池供电系统中用于负载开关、LED驱动控制或MOSFET栅极驱动，利用其内置电阻实现快速开关响应。 3. 接口电路与逻辑缓冲：适用于I²C、GPIO扩展等数字信号的电平转换与驱动，减少主控芯片负载。 4. 消费类电子产品：如家用电器控制板、遥控器、传感器信号调理模块中，作为小信号放大或开关元件。 5. 工业与汽车电子：在车载信息娱乐系统、车身控制模块（如车灯控制、继电器驱动）中提供可靠、稳定的开关功能，满足AEC-Q101车规认证要求。 NSBA115EDXV6T1G因集成度高、可靠性强、节省PCB空间，特别适用于对尺寸和功耗敏感的应用场景，是替代分立晶体管+电阻组合的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA115EDXV6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA115EDXV6T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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