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PBLS4002D,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS4002D,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS4002D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS4002D,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 700mA 150MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBLS4002D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBLS4002D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS4002D,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内含两个独立的 NPN 晶体管,每路集成基极-发射极电阻(R₁=10 kΩ)和基极-集电极反馈电阻(R₂=10 kΩ),实现内置偏置,无需外部偏置电路。该器件采用 SOT-363(SC-70-6)小型封装,具有低功耗、高可靠性与优异的开关一致性。 典型应用场景包括: 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动:用于微控制器(如ARM、MCU)GPIO端口与中等电流负载(如LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极)之间的缓冲/驱动,简化电路设计; 2. LED驱动阵列:双通道结构适合驱动双色LED或并行指示灯,预偏置确保稳定导通,减少外围元件; 3. 信号切换与多路开关控制:在通信模块、传感器接口板中实现低速数字信号路由或使能控制; 4. 工业I/O模块:用于PLC输入/输出扩展卡中的光电耦合器后级驱动或固态继电器(SSR)前端驱动; 5. 消费电子待机电源管理:在电池供电设备中作为低功耗唤醒信号检测或状态指示控制开关。 其ESD防护(HBM ≥4 kV)、宽工作温度范围(−65°C 至 +150°C)及AEC-Q101兼容性(部分批次),亦支持部分汽车电子辅助系统(如车身控制模块中的非安全关键信号处理)。整体适用于对空间、BOM成本与设计简洁性有较高要求的中低频(fₜ ≈ 250 MHz)、中小电流(IC ≤ 100 mA)开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PBLS4002D,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBLS4002D,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V / 300 @ 100mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7236-1 |
| 典型电阻器比率 | 1 at NPN |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms at NPN |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA at NPN, 1000 mA at PNP |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式,1 PNP |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V,40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA,700mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA, 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V at NPN, 40 V at PNP |
| 零件号别名 | PBLS4002D T/R |
| 频率-跃迁 | 150MHz |