Datasheet下载- 型号： NSBA144WDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA144WDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA144WDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBA144WDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA144WDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA144WDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA144WDXV6T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置电阻，采用SOT-26封装。该器件集成了一个NPN晶体管和两个片上电阻（通常为基极和发射极电阻），简化了电路设计并减少了外围元件数量。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于体积小、功耗低，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号开关与电平转换电路。 2. 电源管理与逻辑控制：在DC-DC转换器、电源开关、LED驱动等电路中，用于控制通断或实现简单的逻辑功能。 3. 接口电路：常用于微控制器与高负载（如继电器、电机、指示灯）之间的缓冲与驱动，提供可靠的信号放大与隔离。 4. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、家用电器控制板中，用于按钮输入检测、继电器驱动或传感器信号处理。 5. 工业与汽车电子：适用于对可靠性要求较高的环境，如车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、传感器接口等。 NSBA144WDXV6T1G的优势在于集成电阻提高了稳定性，降低了组装成本，并增强了抗噪能力，特别适合高密度PCB布局和自动化生产。同时，该器件符合RoHS标准，支持无铅焊接，适用于环保型产品设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSBA144WDXV6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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