Datasheet下载- 型号： NSB4904DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSB4904DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSB4904DW1T1G价格参考。ON SemiconductorNSB4904DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSB4904DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSB4904DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSB4904DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）推出的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个NPN型BJT晶体管，每个晶体管均内置基极和发射极电阻，形成预偏置电路。该器件采用SOT-26封装，具有体积小、集成度高、外围元件少等优点。 该型号主要应用于需要简化电路设计、提高可靠性的低压开关与信号放大场景。典型应用包括：便携式电子设备中的LED驱动电路、智能手机和平板电脑中的背光控制、LCD面板的电源开关、逻辑电平转换电路以及小型继电器或蜂鸣器的驱动电路。由于其内置偏置电阻，无需外接基极电阻，显著减少了PCB面积和元件数量，适用于高密度布局的消费类电子产品。 此外，NSB4904DW1T1G也广泛用于各类工业控制模块、传感器接口电路和微控制器输出级驱动，实现信号放大与开关功能。其稳定的电气性能和良好的温度适应性，使其在汽车电子中的非动力系统（如车内照明控制、仪表盘驱动）中也有应用。总体而言，该器件适用于对空间、功耗和成本敏感的低功率模拟与数字控制场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SC88 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSB4904DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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