Datasheet下载- 型号： MUN5230DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5230DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5230DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5230DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5230DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5230DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5230DW1T1G是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT）阵列器件，广泛应用于需要高效、稳定晶体管开关的电路设计中。 该器件主要适用于以下应用场景： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、负载开关或电源切换控制电路中，实现高效的开关操作。 2. 电机驱动电路：在小型电机、风扇或泵的驱动电路中，作为功率开关使用，控制电机的启停和方向。 3. 继电器驱动：用于驱动继电器线圈，替代传统的机械继电器控制方式，提高系统可靠性。 4. LED照明控制：作为LED背光或照明系统的开关控制元件，实现亮度调节或故障保护。 5. 工业自动化与控制：在PLC、传感器接口或执行器控制中，用于信号放大或开关控制。 6. 汽车电子系统：如车身控制模块（BCM）、车灯控制、电动车窗等，得益于其高可靠性和集成预偏置电阻，简化了外围设计。 该器件采用SOT-26封装，体积小、集成度高，内置偏置电阻，可直接由逻辑IC驱动，无需外加偏置电路，降低了设计复杂度和PCB面积。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5230DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5230DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 3 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MUN5230DW1T1GOSDKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 187 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 3 at 5 mA at 10 V |
| 系列 | MUN5230DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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