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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的NSBC144WDP6T5G是一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内置两个电阻(通常为基极-发射极和基极-串联电阻),简化了电路设计并提高了稳定性。该器件采用SOT-563封装,体积小,适合高密度贴装。 其主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备:由于尺寸小、功耗低,广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与电平转换电路。 2. 逻辑电平转换:在不同电压逻辑系统(如1.8V与3.3V之间)中实现信号接口匹配,常用于微控制器与外围器件之间的通信接口。 3. 开关控制电路:适用于LED驱动、继电器或MOSFET栅极驱动等中小功率开关应用,预偏置电阻使其无需外部偏置网络,降低元件数量。 4. 消费类电子产品:如家用电器控制板、遥控器、电源管理模块中,用于信号放大或数字开关功能。 5. 工业与汽车电子:因其可靠性高、温度范围宽(通常支持-55°C至+150°C),可用于车载信息娱乐系统、传感器接口或小型电机控制。 NSBC144WDP6T5G的优势在于集成度高、响应速度快、一致性好,有助于缩小PCB面积、提升生产良率,特别适合对空间和成本敏感的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT963 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSBC144WDP6T5G |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-963 |
功率-最大值 | 408mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-963 |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
频率-跃迁 | - |