Datasheet下载- 型号： NSBA124EDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA124EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA124EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBA124EDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA124EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA124EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA124EDXV6T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个带有内置偏置电阻的NPN晶体管。该器件采用SOT-563封装，体积小巧，适合高密度贴装，广泛应用于便携式电子设备和空间受限的设计中。 其主要应用场景包括： 1. 逻辑信号电平转换：在不同电压逻辑系统之间（如3.3V与5V）进行信号转换，利用其内置偏置电阻简化电路设计。 2. 开关电路：适用于LED驱动、继电器控制、小功率负载开关等场景，因集成电阻可减少外部元件数量，提高可靠性。 3. 接口缓冲与驱动：用于微控制器与外围器件之间的信号缓冲，增强驱动能力，防止主控芯片过载。 4. 消费类电子产品：常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理与信号控制模块。 5. 工业控制与通信设备：用于传感器信号调理、数据线路切换等低功耗、高稳定性的场合。 NSBA124EDXV6T1G的优势在于集成度高、外围电路简洁、响应速度快且功耗低，有助于缩小PCB面积并提升系统稳定性。其工作温度范围宽（-55°C至+150°C），适合严苛环境下的应用。总体而言，该器件特别适用于需要小型化、高可靠性和低成本解决方案的中低频开关与信号处理场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA124EDXV6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA124EDXV6T1GOS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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