Datasheet下载- 型号： MUN5312DW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5312DW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5312DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5312DW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5312DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5312DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5312DW1T1是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT）阵列器件，内部集成两个NPN晶体管，并内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件常用于需要开关或信号放大的数字电路中，特别适用于需要节省PCB空间和减少外部元件数量的应用。 典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换：用于不同电压逻辑系统之间的信号转换，例如将3.3V逻辑信号控制5V系统中的负载。 2. 继电器或LED驱动：作为小型继电器、LED显示屏或指示灯的驱动开关，特别是在需要多路控制的场合。 3. 数字开关电路：在微控制器或数字电路输出端，用于控制电机、风扇、传感器等外围设备的开关。 4. 接口电路：用于连接低功率控制电路与高功率负载之间的接口，提供信号放大与隔离功能。 5. 消费类电子产品：如家电控制板、智能电表、玩具和小家电中，用于实现开关控制或信号处理。 该器件采用小型表面贴装封装（如TSSOP），适合自动化生产和高密度布局，广泛应用于中低功率的工业控制、通信设备及消费电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5312DW1T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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