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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PIMN31,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PIMN31,115价格参考。NXP SemiconductorsPIMN31,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PIMN31,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PIMN31,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PIMN31,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)阵列,内置预偏置电阻网络(含基极-发射极和基极-集电极电阻),采用 SOT-363(SC-70-6)小型封装。其典型结构为双 NPN 晶体管共发射极配置,集成高精度片上偏置电阻,可直接由数字逻辑(如 MCU GPIO、FPGA 输出)驱动,无需外接偏置电阻。 主要应用场景包括: 1. 数字信号电平转换与驱动:用于 3.3V/5V MCU 控制继电器、LED、小功率蜂鸣器或光耦输入端,简化电路设计; 2. 接口逻辑缓冲/反相:在通信接口(如 UART、I²C 上拉辅助)、传感器信号调理中实现电流放大与电平适配; 3. 电源管理中的使能控制:作为低压侧开关控制 DC-DC 转换器或 LDO 的 EN 引脚; 4. 工业与消费类电子板级应用:适用于空间受限的智能电表、白色家电主控板、IoT终端设备等,提升可靠性并减少 BOM 元器件数量。 该器件具有低饱和压降(VCE(sat))、良好温度稳定性及 ESD 防护能力(HBM ≥2kV),适合中低速开关(fT ≈ 180 MHz)场景,不适用于高频射频或大功率放大。设计时需注意功耗限制(Ptot ≤ 300 mW)及最大集电极电流(IC ≤ 100 mA)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSOP两极晶体管 - BJT DOUBLE RET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PIMN31,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PIMN31,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 50mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-6469-1 |
| 功率-最大值 | 420mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 最大功率耗散 | 420 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 at 50 mA at 5 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | PIMN31 T/R |
| 频率-跃迁 | - |