数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PIMN31,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PIMN31,115价格参考。NXP SemiconductorsPIMN31,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PIMN31,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PIMN31,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Nexperia USA Inc.、分类为晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置的型号PIMN31,115,是一种集成预偏置电阻的双极型晶体管阵列器件。该器件通常包含多个BJT晶体管单元,并内置限流或偏置电阻,简化外围电路设计,提高系统稳定性。 该型号常用于以下应用场景: 1. 逻辑电平转换:在数字电路中实现不同电压域之间的信号转换,例如将3.3V逻辑信号驱动至5V系统。 2. 开关控制电路:适用于低功率开关应用,如LED驱动、继电器控制和小型电机驱动。 3. 接口电路:作为微控制器或逻辑IC与高电流负载之间的接口,提供缓冲和驱动能力。 4. 电源管理模块:用于电源切换、负载开关或稳压电路中的控制部分。 5. 工业自动化设备:在PLC、传感器模块及工业控制板中用作信号处理或执行机构的驱动元件。 由于其集成预偏置设计,PIMN31,115有助于减少PCB空间占用并降低设计复杂度,适用于消费电子、通信设备及工业控制系统等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSOP两极晶体管 - BJT DOUBLE RET |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PIMN31,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PIMN31,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 50mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | 568-6469-1 |
功率-最大值 | 420mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SC-74-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
最大功率耗散 | 420 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 at 50 mA at 5 V |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
零件号别名 | PIMN31 T/R |
频率-跃迁 | - |