Datasheet下载- 型号： EMD5DXV6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMD5DXV6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMD5DXV6T5G价格参考。ON SemiconductorEMD5DXV6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMD5DXV6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMD5DXV6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的EMD5DXV6T5G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻，采用SOT-563封装。该器件集成了两个达林顿结构的BJT，并内置基极和发射极电阻，简化了外围电路设计，适用于需要高增益、低功耗和小尺寸的场景。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑中的LED驱动、电源开关控制等，得益于其小型化封装和低静态电流特性。 2. 消费类电子产品：用于LCD背光控制、按键输入缓冲、传感器信号放大等电路，内置电阻减少元件数量，提高可靠性。 3. 工业与家电控制：在微控制器I/O扩展、继电器或蜂鸣器驱动中作为开关使用，达林顿结构提供高电流增益，易于驱动负载。 4. 逻辑电平转换：实现不同电压系统之间的信号接口，如3.3V MCU控制5V外设。 5. 电池供电设备：因其低功耗和高效率，适合对能效要求高的应用，如无线传感器节点、可穿戴设备。 EMD5DXV6T5G具有高可靠性、良好的温度稳定性及ESD保护能力，便于快速设计导入，广泛应用于空间受限且需稳定性能的电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | EMD5DXV6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V / 20 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k，47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k，47k |
| 频率-跃迁 | - |
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