Datasheet下载- 型号： NSVUMC3NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVUMC3NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVUMC3NT1G价格参考。ON SemiconductorNSVUMC3NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVUMC3NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVUMC3NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSVUMC3NT1G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产，属于 预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列。该器件内部集成了一个或多个BJT晶体管，并内置偏置电阻，使其在电路设计中更加简化和稳定。 主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于开关电源、DC-DC转换器等场合，用于控制和调节电压输出，提升电源效率和稳定性。 2. 汽车电子系统：该器件具有良好的温度稳定性和可靠性，适合用于汽车中的控制模块、传感器接口和执行器驱动电路。 3. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动、电机控制等，预偏置设计可减少外围元件数量，提升系统集成度和可靠性。 4. 消费类电子产品：如智能家电、LED驱动、充电器等，用于信号放大、开关控制等功能。 5. 信号处理与放大电路：在低频放大、逻辑电平转换、缓冲器设计中广泛应用，适用于需要稳定偏置条件的模拟和数字电路。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，并具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SC88 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVUMC3NT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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