Datasheet下载- 型号： MUN5114DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5114DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5114DW1T1G价格参考￥0.16-￥0.16。ON SemiconductorMUN5114DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5114DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5114DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5114DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管 (BJT) 阵列，属于预偏置类型。它具有以下特点和应用场景： 1. 产品特性 - 阵列结构：该器件包含多个预偏置的 BJT 晶体管单元，适合需要多通道信号放大的应用。 - 低功耗：预偏置设计简化了电路设计，减少了外部元件的需求，同时降低了功耗。 - 高可靠性：适用于要求稳定性和可靠性的工业及消费类电子设备。 - 小型封装：采用紧凑型封装（如 WLCSP），节省电路板空间，适合便携式和小型化设备。 2. 典型应用场景 （1）音频放大器 - MUN5114DW1T1G 可用于音频信号的小信号放大，例如耳机放大器、麦克风前置放大器等。 - 其预偏置特性使得增益设置更加简单，适合低失真音频应用。 （2）传感器信号调理 - 在工业自动化或物联网设备中，该器件可用于传感器信号的放大和处理。 - 例如，将微弱的温度、压力或光电传感器信号放大到适合 ADC 输入的范围。 （3）便携式设备 - 由于其低功耗和小型封装，适用于手机、平板电脑、可穿戴设备等对尺寸和功耗敏感的应用。 - 可用于电池管理电路中的小信号控制或驱动。 （4）通信设备 - 在无线通信模块中，可用于射频前端的低噪声放大或中频信号处理。 - 适合需要高线性度和低噪声的通信场景。 （5）汽车电子 - 在汽车音响系统、车内通信模块或传感器接口中，该器件可提供稳定的信号放大功能。 - 符合车规级要求的版本还可用于更严苛的汽车环境。 （6）医疗设备 - 在便携式医疗设备（如心率监测仪、血氧仪）中，可用于生物信号的采集和放大。 - 预偏置设计有助于提高信号精度和稳定性。 3. 总结 MUN5114DW1T1G 的主要优势在于其预偏置设计和高集成度，适合需要多通道信号放大和处理的应用场景。无论是消费类电子产品、工业设备还是汽车电子，这款器件都能提供可靠的性能和灵活性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5114DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5114DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 典型电阻器比率 | 0.21 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 at 5 mA at 10 V |
| 系列 | MUN5114DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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