Datasheet下载- 型号： NSBA143EDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA143EDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA143EDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA143EDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA143EDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA143EDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA143EDP6T5G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个带内置偏置电阻的NPN型BJT。该器件采用SOT-563（SC-88）小型封装，适合高密度贴装，广泛应用于便携式电子设备和空间受限的设计中。 其主要应用场景包括： 1. 逻辑信号电平转换与开关控制：内置偏置电阻简化了外部电路设计，可直接用于微控制器与外围器件之间的信号接口，实现低功耗开关功能。 2. LED驱动电路：适用于手机、平板、智能家居面板等设备中的LED指示灯或背光驱动，通过简单的输入信号控制通断。 3. 便携式消费电子产品：如智能手机、可穿戴设备、蓝牙耳机等，利用其小尺寸和高集成度降低整体PCB面积和元件数量。 4. 电源管理与负载开关：用于开启/关闭特定电源路径，提高系统能效。 5. 噪声抑制与信号缓冲：在数字电路中作为缓冲器或反相器使用，提升信号完整性。 NSBA143EDP6T5G的优势在于集成度高、响应速度快、功耗低，且无需额外配置基极电阻，大幅简化设计流程，提升可靠性。因此，它特别适用于对空间、功耗和成本敏感的中低电流开关应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA143EDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 408mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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