Datasheet下载- 型号： NSBA114YDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA114YDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA114YDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA114YDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA114YDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA114YDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSBA114YDP6T5G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产，属于 预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列。该器件内部集成了一个或多个BJT晶体管，并带有内置偏置电阻，可简化电路设计，提高稳定性和可靠性。 应用场景包括： 1. 数字开关电路：适用于需要高速开关控制的数字电路，如逻辑控制、驱动LED、继电器或小型电机等负载。 2. 接口电路：用于微控制器与外围设备之间的信号放大与隔离，提升信号完整性。 3. 传感器驱动：在各类传感器模块中作为信号放大或驱动元件，例如温度、压力或光传感器。 4. 电源管理电路：可用于电源切换、负载开关或稳压电路中，提高系统效率。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中的小型开关或信号控制电路。 6. 汽车电子：用于车载控制系统，如车灯驱动、仪表盘显示控制等，满足汽车级可靠性要求。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，适用于对空间和功耗有要求的应用场景。其预偏置设计可减少外围元件数量，提升电路稳定性，降低设计复杂度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA114YDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 408mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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