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Datasheet下载- 型号： PBLS4003D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBLS4003D,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS4003D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS4003D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS4003D,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 700mA 150MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBLS4003D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS4003D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS4003D,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个独立的 NPN 晶体管，各集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为 R₁=10 kΩ，R₂=10 kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑接口电平转换与驱动：常用于微控制器（如ARM、PIC、ESP系列）GPIO输出与中等电流负载（如LED、小型继电器、蜂鸣器）之间的缓冲/驱动，简化电路设计并提升抗干扰能力。 - 工业与消费类电子中的信号开关：适用于打印机、家电控制板、传感器模块等需多路低功耗开关功能的场合，支持30 V VCEO、100 mA IC（每通道），满足一般低压开关需求。 - LED 矩阵/段式显示驱动：双通道结构便于驱动共阴极LED数码管或8×8点阵的行/列扫描控制，减少PCB布线与外围元件数量。 - 电源管理辅助电路：如LDO使能控制、电池电量检测开关、充电状态指示等低速、低功耗信号通断应用。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）封装，体积小、热性能优，支持无铅回流焊；内置电阻匹配性好，提升批量一致性。不适用于高频放大或大功率开关场景（如电机驱动、DC-DC主开关）。整体定位为高可靠性、低成本、易用型数字开关阵列，广泛应用于空间受限且强调BOM精简的嵌入式系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PBLS4003D,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBLS4003D,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 310mV @ 100mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V / 300 @ 100mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7239-1 |
| 典型电阻器比率 | 1 at NPN |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms at NPN |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA at NPN, 1000 mA at PNP |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，700mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V at NPN, 40 V at PNP |
| 零件号别名 | PBLS4003D T/R |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
