Datasheet下载- 型号： NSVMUN5212DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMUN5212DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMUN5212DW1T1G价格参考。ON SemiconductorNSVMUN5212DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMUN5212DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMUN5212DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSVMUN5212DW1T1G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产，属于 预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列。该器件内部集成了一个或多个BJT晶体管，并带有内置偏置电阻，简化了电路设计，提高了稳定性和可靠性。 应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、负载开关等场景，用于控制电源通断或调节输出电压。 2. 电机驱动电路：用于小型电机、风扇或执行器的控制，其集成电阻可减少外围元件数量。 3. LED驱动：在LED背光或照明系统中，作为开关或电流控制元件使用。 4. 工业自动化控制：用于PLC、继电器驱动、传感器信号调理等工业控制场合。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、车灯控制、电机控制等对可靠性和空间布局有要求的场景。 6. 消费类电子产品：如打印机、扫描仪、智能家电等设备中的开关控制和信号放大。 该器件采用小型封装（如TSOP），适合高密度PCB布局，且具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于中低功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSVMUN5212DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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