Datasheet下载- 型号： MUN5136DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5136DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5136DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5136DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5136DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5136DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5136DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置电阻，采用SOT-26封装。该器件集成了两个NPN型BJT晶体管，每个均配有内置基极和发射极电阻，简化了外部电路设计，提高了可靠性。 其主要应用场景包括： 1. 消费类电子产品：广泛用于手机、平板、电视等设备中的信号切换、LED驱动和逻辑电平转换，因其集成电阻可减少元件数量，节省PCB空间。 2. 电源管理与开关控制：适用于小型电源系统中的负载开关或继电器驱动，实现低功耗控制。 3. 工业控制与传感器接口：在微控制器与执行器之间作为缓冲或驱动级，用于驱动继电器、指示灯或小功率负载，特别适合需要稳定偏置条件的场合。 4. 便携式设备：由于其低功耗特性，常用于电池供电设备中，如蓝牙模块、无线传感器节点等，有助于延长续航时间。 5. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（如车窗、门锁驱动）等非动力总成应用，提供可靠的信号放大与开关功能。 MUN5136DW1T1G凭借高集成度、小尺寸和稳定性，适用于对空间和功耗敏感的中低电流开关场景，是传统分立晶体管加电阻方案的理想替代品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SC88 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MUN5136DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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