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Datasheet下载- 型号： PBLS6003D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBLS6003D,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS6003D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS6003D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS6003D,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 60V 100mA, 700mA 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBLS6003D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS6003D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS6003D,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10 kΩ，R₂=10 kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）I/O口直接驱动LED、小型继电器或光耦，简化电路设计，提升响应速度与可靠性。 2. LED驱动与指示电路：常用于消费电子、工业面板、家电等设备中的多路LED状态指示，支持低功耗、高开关比（典型hFE > 100）和快速开关（tₛₜ ≤ 10 ns）。 3. 信号切换与小功率开关应用：在通信模块、传感器接口、电源管理子系统中用作低压侧开关，控制负载电流（Ic ≤ 100 mA，VCEO = 50 V）。 4. 替代传统分立偏置方案：节省PCB面积与BOM成本，提高装配良率，广泛应用于空间受限的便携设备及高密度板卡（如IoT终端、智能电表、白色家电主控板）。 该器件符合AEC-Q100（Grade 3）标准，具备良好温度稳定性与ESD防护能力（HBM ≥ 4 kV），亦适用于部分汽车电子非安全关键模块（如车身控制、氛围灯）。封装为SOT-363（SC-88），支持自动化贴装。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS6003D,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 340mV @ 100mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V / 150 @ 500mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7251-1 |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，700mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 185MHz |
