Datasheet下载- 型号： PEMB30,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB30,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB30,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB30,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMB30,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMB30,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMB30,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁ = 2.2 kΩ，R₂ = 47 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电路。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO端口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或光耦输入级，简化电路设计并提升响应速度。 2. 开关应用：在低功耗便携设备（如可穿戴设备、IoT传感器节点）中用作高效电子开关，支持3.3V/5V TTL/CMOS信号直接控制负载，降低系统BOM成本与PCB面积。 3. 信号调理与小信号放大：在传感器前端（如温度、光敏、霍尔传感器）中用于电流缓冲或简易放大，预偏置结构确保稳定工作点，减少温漂影响。 4. 冗余/双通道功能电路：双晶体管封装便于构建互补功能（如双路指示、互锁控制、冗余驱动），提升系统可靠性。 该器件采用SOT-666超小型封装，具备±5kV HBM ESD防护，工作结温范围-65℃~+150℃，适合工业控制、消费电子及汽车电子（非安全关键系统）等对空间、可靠性和易用性要求较高的场景。注意：不适用于高功率放大或高频射频应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMB30,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934059927115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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