Datasheet下载- 型号： PEMB30,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB30,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB30,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB30,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMB30,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMB30,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PEMB30,115 是一款集成预偏置电阻的双极性晶体管阵列（BJT 阵列），属于数字晶体管类型，内部包含两个带内置偏置电阻的 NPN 晶体管。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与信号开关：由于内置偏置电阻，PEMB30,115 可直接通过微控制器或逻辑IC驱动，无需外接基极电阻，常用于将低电压逻辑信号（如3.3V或5V）转换为高驱动能力的开关信号，适用于接口电路。 2. LED驱动电路：在消费类电子产品中，该器件可用于控制多路LED指示灯或背光，简化电路设计并节省PCB空间。 3. 继电器或蜂鸣器驱动：作为小型负载的开关元件，用于驱动继电器线圈或无源蜂鸣器，广泛应用于家电、工业控制模块中。 4. 电源管理开关：在电池供电设备中，用作负载开关以控制子系统的电源通断，实现节能功能。 5. 便携式电子设备：因其小型化SOT363封装和高集成度，适合智能手机、可穿戴设备等对空间要求严苛的应用。 PEMB30,115 具有高可靠性、低功耗和良好的热稳定性，适用于需要紧凑设计和高效率的中低功率模拟与数字混合电路。其预偏置结构提升了生产一致性，降低了设计复杂度，是替代分立晶体管+电阻组合的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMB30,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934059927115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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