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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114YPDP6T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114YPDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC114YPDP6T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC114YPDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC114YPDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSBC114YPDP6T5G 的晶体管属于 ON Semiconductor(安森美半导体)旗下的 预偏置双极结型晶体管阵列(BJT Array)。其主要应用场景包括: 该器件内部集成了多个预偏置的BJT晶体管,通常用于需要逻辑电平控制的开关电路。其典型应用包括: 1. 数字开关电路:适用于微控制器或逻辑电路控制的负载开关,如LED驱动、继电器控制等; 2. 接口电路:在数字电路与功率器件之间提供缓冲或电平转换功能; 3. 消费类电子产品:如打印机、扫描仪、小型家电中的信号处理与控制模块; 4. 工业自动化:用于PLC模块、传感器接口和继电器驱动; 5. 汽车电子:如车身控制模块(BCM)、车灯控制、电机驱动接口等对空间和可靠性有要求的场景; 6. 便携设备:因集成度高、封装小巧,适合用于电池供电设备中以节省空间和简化设计。 该器件具有集成度高、响应快、功耗低的优点,适用于中低功率的通用开关应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT963 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSBC114YPDP6T5G |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-963 |
功率-最大值 | 339mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-963 |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | - |