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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NSVBA114YDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVBA114YDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVBA114YDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSVBA114YDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVBA114YDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVBA114YDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVBA114YDXV6T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个NPN晶体管，每个均内置基极-发射极电阻，简化电路设计。该器件采用SOT-563（SC-89）超小型封装，适用于空间受限的便携式电子设备。 主要应用场景包括： 1. 便携式消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号开关、电平转换和逻辑驱动电路，得益于其小尺寸和低功耗特性。 2. 电源管理与LED驱动：用于控制背光LED或状态指示灯，通过简单的数字信号实现高效开关操作。 3. 接口电路与逻辑缓冲：在微控制器与外围设备之间作为驱动级，提升驱动能力并隔离负载影响。 4. 高频开关应用：由于具备较快的开关速度，适合用于中低功率的脉冲信号放大与处理。 5. 汽车电子系统：因符合AEC-Q101车规认证，广泛应用于车载信息娱乐系统、传感器接口和车身控制模块等环境温度较高的场合。 NSVBA114YDXV6T1G集成的内置电阻减少了外部元件数量，提高了可靠性，降低了PCB布局复杂度，特别适合高密度贴装和自动化生产。其稳定的性能和车规级认证，使其在工业控制、通信模块和消费类电子中均有广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVBA114YDXV6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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