Datasheet下载- 型号： PEMD15,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD15,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD15,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD15,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD15,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD15,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMD15,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁ = 2.2 kΩ，R₂ = 47 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电路。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）I/O口扩展，将低电流逻辑信号（3.3V/5V）安全、可靠地转换为足够驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极的开关信号。 2. LED驱动与指示电路：因具备稳定开关特性和内置限流电阻，广泛应用于消费电子、工业面板、家电设备中的多路LED状态指示，简化PCB设计并提升可靠性。 3. 信号切换与负载开关：在便携式设备中用作低功耗、小尺寸的负载开关，控制传感器模块、通信模块等外围电路的供电通断。 4. 替代传统分立偏置方案：显著减少元件数量与贴装面积，提高生产良率，适用于空间受限的高密度PCB设计（如TSSOP6封装，2.1×1.8 mm）。 该器件具有低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）、高直流电流增益（hFE ≥ 100）、ESD防护（HBM ±4 kV）及宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C），适合工业控制、汽车电子（非安全关键系统）、物联网终端等对成本、尺寸与鲁棒性有综合要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMD15,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058919115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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