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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSTB1002DXV5T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSTB1002DXV5T1G价格参考。ON SemiconductorNSTB1002DXV5T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSTB1002DXV5T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSTB1002DXV5T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NSTB1002DXV5T1G、品牌为ON Semiconductor的预偏置双极晶体管阵列,广泛应用于各类中小功率电子电路中。该器件内置两个匹配的NPN晶体管,并集成了基极-发射极电阻网络,简化了外围电路设计,提升了系统可靠性。典型应用场景包括:开关电源中的驱动与控制电路、DC-DC转换器中的信号切换、LED背光或照明驱动电路、便携式消费电子产品(如智能手机、平板电脑)中的逻辑电平转换与负载开关控制。此外,由于其具备良好的温度稳定性和快速响应特性,也常用于工业控制模块、传感器信号调理电路以及微控制器接口驱动中,实现信号放大与隔离功能。其小型化封装(如SOT-563)适合高密度PCB布局,有助于缩小整机体积。总体而言,NSTB1002DXV5T1G凭借集成度高、响应快、功耗低等优势,特别适用于对空间和能效要求较高的现代电子设备。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN SOT553 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSTB1002DXV5T1G |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V / 100 @ 1mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-553 |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-553 |
晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式,1 PNP |
标准包装 | 4,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V,40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA,200mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
频率-跃迁 | 250MHz |