Datasheet下载- 型号： SMUN5311DW1T3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5311DW1T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5311DW1T3G价格参考。ON SemiconductorSMUN5311DW1T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN5311DW1T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5311DW1T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5311DW1T3G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型。这种器件通常用于需要高性能、高精度和低功耗的模拟电路设计中。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - SMUN5311DW1T3G 可用于音频信号放大器、射频（RF）信号放大器等场景。 - 其预偏置特性使其能够稳定工作在特定的偏置点，从而实现高效且线性的信号放大。 2. 开关应用 - 在数字电路中，该器件可以用作高速开关，适用于逻辑电平转换或驱动负载。 - 预偏置设计有助于减少开关时间延迟，提高系统响应速度。 3. 传感器信号调理 - 在工业自动化、消费电子和医疗设备中，SMUN5311DW1T3G 可用于对传感器输出信号进行放大和处理。 - 它能够将微弱的模拟信号增强到适合后续处理的水平。 4. 电源管理 - 该器件可用于构建线性稳压器或电流源，为敏感电路提供稳定的电源。 - 预偏置功能确保了输出电压或电流的稳定性，即使在负载变化时也能保持性能。 5. 通信设备 - 在无线通信模块中，SMUN5311DW1T3G 可作为功率放大器的一部分，用于提升发射信号强度。 - 它还可能被用作低噪声放大器（LNA），以增强接收信号的质量。 6. 测试与测量 - 在精密仪器中，如示波器、频谱分析仪等，该晶体管阵列可以用于构建高性能放大器或滤波器。 - 预偏置特性有助于提高测量精度和动态范围。 7. 汽车电子 - 在汽车应用中，SMUN5311DW1T3G 可用于控制各种传感器、执行器和照明系统。 - 其可靠性高、耐高温的特点非常适合复杂的车载环境。 总之，SMUN5311DW1T3G 的高性能和预偏置特性使其成为许多高端应用的理想选择，尤其是在需要精确控制和快速响应的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SMUN5311DW1T3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-最大值 | 187mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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