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Datasheet下载- 型号： RN1905(T5L,F,T)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1905(T5L,F,T)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1905(T5L,F,T)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1905(T5L,F,T)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1905(T5L,F,T)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1905(T5L,F,T) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为RN1905(T5L,F,T)，由Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的器件属于预偏置双极性晶体管阵列，广泛应用于各类电子设备中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 逻辑电路与开关电路：适用于数字电路中作为开关元件，实现信号的通断控制，尤其适合需要预偏置设计以简化外围电路的应用。 2. 接口电路：用于不同电压或电流等级之间的信号转换与隔离，提升系统兼容性和稳定性。 3. 电源管理电路：在DC-DC转换器、负载开关、电源控制器等应用中，作为驱动或控制元件使用。 4. 汽车电子系统：如车载控制模块、传感器接口、LED驱动等，得益于其高可靠性和集成预偏置设计，有助于减少元件数量和PCB空间。 5. 消费类电子产品：包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等，适用于对空间和功耗敏感的设计中。 6. 工业控制设备：如PLC、继电器驱动、传感器信号调理等场景，提供稳定可靠的信号放大与控制功能。 该器件采用小型封装，具备集成度高、响应速度快、功耗低等特点，适用于高密度、高性能要求的现代电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN DUAL NPN US6 50V 100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN1905(T5L,F,T) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | US6 |
| 其它名称 | RN1905(T5LFT)DKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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