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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供EMG11T2R由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMG11T2R价格参考。ROHM SemiconductorEMG11T2R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载EMG11T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EMG11T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的EMG11T2R是一款预偏置双极晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要高集成度和稳定偏置电路的电子系统中。该器件内部集成了多个晶体管及偏置电阻,简化了外围电路设计,提高了可靠性。 EMG11T2R的应用场景主要包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、稳压电路中的开关控制或电流检测部分,提供稳定偏置和高效能切换。 2. 信号处理与放大电路:适用于音频放大器、传感器信号调理等场合,其集成结构有助于减小电路噪声和提高放大稳定性。 3. 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、继电器驱动电路、电机控制模块等,EMG11T2R可提供可靠的小信号放大和驱动能力。 4. 汽车电子系统:包括车载传感器接口、车内照明控制、电池管理系统(BMS)等,得益于其高稳定性和耐环境性能。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑中的电源切换与管理模块,利用其小封装和集成化优势,节省PCB空间。 EMG11T2R采用小型表面贴装封装(如TSSOP),适合高密度PCB布局,适用于自动化生产和批量应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN EMT5开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 50V 100MA |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor EMG11T2R- |
数据手册 | |
产品型号 | EMG11T2R |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | EMT5 |
其它名称 | EMG11T2RCT |
典型电阻器比率 | 21 |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-SMD(5引线),扁引线 |
封装/箱体 | EMT-5 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
配置 | Dual Common Emitter |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | 250MHz |