Datasheet下载- 型号： PIMD3,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PIMD3,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PIMD3,115价格参考。NXP SemiconductorsPIMD3,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PIMD3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PIMD3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PIMD3,115 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个NPN晶体管，各集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为R1=10kΩ，R2=10kΩ），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装。 其主要应用场景包括： ✅ 数字逻辑电平转换与接口驱动：因内置偏置电阻，可直接连接微控制器（如MCU、FPGA）的GPIO引脚，简化电路设计，用于驱动LED、小功率继电器或光耦输入端。 ✅ 信号开关与多路控制：双通道结构适合需同步或独立控制两路低电流负载（≤100mA）的场合，如传感器使能控制、状态指示灯切换等。 ✅ 替代分立偏置电路：在空间受限的便携设备（如智能穿戴、IoT终端）中，可减少PCB面积与元件数量，提升可靠性并降低BOM成本。 ✅ 工业与消费类电子中的简单放大/开关应用：适用于音频前置开关、电源使能（EN）信号调理、电池供电设备的负载管理等中低速（fₜ ≈ 100MHz）、低功耗场景。 注意：该器件不适用于高线性度模拟放大或高频射频应用；最大集电极电流约100mA（连续），需注意散热与功耗限制。典型工作电压范围为5V–15V，兼容TTL/CMOS逻辑电平。 综上，PIMD3,115 主要面向对尺寸、成本和设计简洁性要求较高的中低速数字开关与接口应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PIMD3,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PIMD3,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-8469-2 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SOT-457-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PIMD3 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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