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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PIMD3,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PIMD3,115价格参考。NXP SemiconductorsPIMD3,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PIMD3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PIMD3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Nexperia USA Inc.、分类为晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置、型号为PIMD3,115的器件,主要应用于需要高效、稳定信号处理和功率控制的电子电路中。该器件集成预偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性,常用于以下场景: 1. 工业自动化控制:用于继电器驱动、传感器信号放大和逻辑电平转换,提升系统响应速度和可靠性。 2. 消费类电子产品:如电视、音响设备和白色家电,实现电源管理、音频信号处理和接口电路控制。 3. 汽车电子:用于车身控制模块(BCM)、照明系统和车载娱乐系统,满足车规级对稳定性和耐用性的要求。 4. 通信设备:在基站、路由器和交换机中实现信号切换、放大和电源管理,保障数据传输的稳定性。 5. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关和电池充电电路,提高能效并减少外围元件数量。 其小型封装和预偏置设计降低了PCB空间占用,适合高密度布局。此外,器件具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于复杂电磁环境。Nexperia作为专业分立器件供应商,其产品以高可靠性和一致性著称,适用于批量生产场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PIMD3,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PIMD3,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | 568-8469-2 |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 600mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SOT-457-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
零件号别名 | PIMD3 T/R |
频率-跃迁 | - |