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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1602(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1602(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1602(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RN1602(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN1602(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RN1602(TE85L,F)是东芝半导体与存储(Toshiba Semiconductor and Storage)推出的一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内置电阻,属于数字晶体管类型。该器件集成了一个或多个BJT晶体管及内置偏置电阻,简化了外围电路设计,特别适用于需要紧凑、高可靠性开关功能的场景。 主要应用场景包括: 1. 消费类电子产品:广泛用于手机、平板、电视、机顶盒等设备中的信号切换、LED驱动和逻辑电平转换。 2. 电源管理电路:在DC-DC转换器、电源开关控制中作为驱动管使用,实现高效通断控制。 3. 接口电路:用于微控制器与负载之间的缓冲或驱动,如驱动继电器、蜂鸣器、小功率LED等。 4. 工业控制:在小型PLC、传感器模块、继电器驱动板中作为开关元件,提升系统集成度与稳定性。 5. 便携式设备:因其小型封装(如SOT-23或类似)和低功耗特性,适合空间受限的移动设备应用。 RN1602(TE85L,F)具备高可靠性、温度稳定性好、响应速度快等特点,且内置电阻减少了外部元件数量,有助于缩小PCB面积并提高生产良率。其典型结构为NPN晶体管配基极和发射极电阻,便于直接通过逻辑信号控制,无需额外偏置电路,非常适合自动化程度高的现代电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN SM6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1602 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | RN1602(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 10mA,5V |
| 供应商器件封装 | SM6 |
| 其它名称 | RN1602(TE85LF)CT |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |