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  • 型号: PBLS6002D,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBLS6002D,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS6002D,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS6002D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS6002D,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 60V 100mA, 700mA 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBLS6002D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBLS6002D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PBLS6002D,115 的晶体管属于双极性晶体管 (BJT) 阵列,且为预偏置类型。这类器件通常用于需要高性能、高可靠性和精确控制的电子电路中。以下是该型号可能的应用场景:

 1. 信号放大
   - PBLS6002D,115 可用于音频和射频信号的放大。由于其预偏置特性,能够简化电路设计并提高放大效率。
   - 应用实例:耳机驱动器、麦克风前置放大器、无线通信设备中的低噪声放大器。

 2. 开关应用
   - 在数字电路中,该型号可以作为高速开关使用,适用于需要快速响应的场景。
   - 应用实例:继电器驱动、LED 控制、电源管理模块中的开关元件。

 3. 功率管理
   - 该晶体管阵列可用于功率分配和调节,特别是在需要多路输出的系统中。
   - 应用实例:电池充电电路、电压调节器、DC-DC 转换器中的电流控制。

 4. 传感器接口
   - 在传感器信号调理电路中,PBLS6002D,115 可以用于信号放大和滤波,确保传感器数据的准确性和稳定性。
   - 应用实例:温度传感器、压力传感器、光电二极管信号处理。

 5. 通信设备
   - 该型号适合应用于高频通信领域,如调制解调器、收发器等,提供稳定的增益和低失真性能。
   - 应用实例:蜂窝基站、Wi-Fi 模块、蓝牙设备。

 6. 汽车电子
   - 在汽车行业中,该晶体管可用于各种控制单元,例如发动机管理、车身控制模块 (BCM) 和照明系统。
   - 应用实例:车灯调节、雨刷控制系统、座椅加热器驱动。

 7. 工业自动化
   - 在工业控制领域,PBLS6002D,115 可用于电机驱动、伺服控制和过程监控等场合。
   - 应用实例:可编程逻辑控制器 (PLC)、机器人运动控制、工业传感器接口。

 总结
PBLS6002D,115 的预偏置特性使其在复杂电路中易于使用,并能显著降低设计难度。其典型应用场景包括信号放大、开关控制、功率管理、传感器接口、通信设备以及汽车和工业自动化领域。选择该型号时,需根据具体电路需求考虑其电气参数(如电流、电压、频率等)是否匹配实际应用环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PBLS6002D,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 20mA,5V / 150 @ 500mA,5V

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

568-7250-2
934059265115
PBLS6002D T/R
PBLS6002D T/R-ND
PBLS6002D,115-ND

功率-最大值

600mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-74,SOT-457

晶体管类型

1 NPN 预偏压式,1 PNP

标准包装

3,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

50V,60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA,700mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA, 100nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

4.7k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

频率-跃迁

185MHz

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