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  • 型号: NSBC114YDXV6T5G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114YDXV6T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114YDXV6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC114YDXV6T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC114YDXV6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC114YDXV6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 NSBC114YDXV6T5G 的晶体管属于 ON Semiconductor(安森美半导体)公司生产的一款 预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列。其主要应用场景包括:

该器件内部集成一个或多个带有内置偏置电阻的BJT晶体管,简化了电路设计,减少了外部元件数量,常用于需要逻辑电平转换、开关控制和信号放大的场合。

典型应用场景包括:

1. 数字开关电路:适用于逻辑电路驱动负载,如LED、继电器或小型电机的控制。
2. 接口电路:用于微控制器或逻辑IC与高电流负载之间的接口,实现信号放大与隔离。
3. 电源管理电路:在电源控制模块中作为开关元件使用。
4. 汽车电子系统:如车载控制模块、传感器驱动电路等,因其集成度高,有助于提高系统可靠性。
5. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑等中低功耗设备中的信号切换和控制电路。

该器件采用小型封装(如SOT-23或类似),适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和响应速度,适合中低功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NSBC114YDXV6T5G

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,10V

供应商器件封装

SOT-563

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

标准包装

8,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

频率-跃迁

-

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