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产品简介:
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型号为 NSBC114YDXV6T5G 的晶体管属于 ON Semiconductor(安森美半导体)公司生产的一款 预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列。其主要应用场景包括: 该器件内部集成一个或多个带有内置偏置电阻的BJT晶体管,简化了电路设计,减少了外部元件数量,常用于需要逻辑电平转换、开关控制和信号放大的场合。 典型应用场景包括: 1. 数字开关电路:适用于逻辑电路驱动负载,如LED、继电器或小型电机的控制。 2. 接口电路:用于微控制器或逻辑IC与高电流负载之间的接口,实现信号放大与隔离。 3. 电源管理电路:在电源控制模块中作为开关元件使用。 4. 汽车电子系统:如车载控制模块、传感器驱动电路等,因其集成度高,有助于提高系统可靠性。 5. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑等中低功耗设备中的信号切换和控制电路。 该器件采用小型封装(如SOT-23或类似),适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和响应速度,适合中低功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSBC114YDXV6T5G |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-563 |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | - |