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Datasheet下载- 型号： IMH8AT108
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IMH8AT108产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IMH8AT108由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMH8AT108价格参考。ROHM SemiconductorIMH8AT108封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6。您可以下载IMH8AT108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IMH8AT108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的IMH8AT108是一款预偏置双极性晶体管阵列，内置两个由电阻组合预设偏置的NPN型BJT。该器件因其集成化设计和小型化封装（如SOT-23或类似），广泛应用于便携式电子设备与高密度电路中。 典型应用场景包括： 1. 逻辑信号转换与电平移位：在数字电路中用于将不同电压域的逻辑信号进行转换，例如将3.3V信号转为5V系统兼容信号。 2. 驱动LED与指示灯：其内置偏置电阻简化了外部电路设计，适合用于小电流LED驱动，常见于消费类电子产品状态指示。 3. 开关控制电路：作为小功率开关，用于控制继电器、蜂鸣器或其他低功耗负载的通断，适用于家电控制板和工业控制模块。 4. 接口缓冲与信号放大：在微控制器与外围器件之间提供信号隔离与增强，提升抗干扰能力。 5. 便携设备中的空间优化设计：由于集成电阻并采用小型封装，特别适合智能手机、可穿戴设备等对空间要求严苛的应用。 IMH8AT108的优势在于减少外部元件数量、降低PCB面积、提高可靠性，同时简化设计流程。其工作稳定、响应快速，适用于中低频、低电流场景，是现代电子系统中实现高效、紧凑设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 50V 100MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor IMH8AT108- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IMH8AT108 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 其它名称 | IMH8AT108CT |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
