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Datasheet下载- 型号： RN2906(T5L,F,T)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2906(T5L,F,T)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2906(T5L,F,T)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2906(T5L,F,T)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2906(T5L,F,T)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2906(T5L,F,T) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN2906(T5L,F,T) 的晶体管属于 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌下的 预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，常用于需要简化电路设计、提高稳定性和减少外部元件数量的场合。 该器件内部集成了一个或多个BJT晶体管，并内置偏置电阻，使其在开关和放大应用中更加方便可靠。其主要应用场景包括： 1. 数字开关电路：适用于逻辑控制电路中的信号切换，如微控制器与高功率负载之间的接口驱动。 2. 继电器或LED驱动电路：可用于驱动小型继电器、发光二极管（LED）等负载，内建偏置电阻可省去外部电路设计。 3. 电源管理电路：在电源控制模块中作为通断开关使用，具有良好的响应特性和稳定性。 4. 工业自动化设备：广泛应用于各类工控设备中的信号处理与控制部分。 5. 消费类电子产品：如家用电器、智能仪表、传感器模块等对空间和成本敏感的应用场景。 该晶体管采用小型封装（如SOT-23或类似），适合高密度PCB布局，具备较好的热稳定性和抗干扰能力，适用于中低功率控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN DUAL PNP US6 -50V -100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2906 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN2906(T5L,F,T) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | US6 |
| 其它名称 | RN2906(T5LFT)DKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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