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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IMB1AT110由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMB1AT110价格参考。ROHM SemiconductorIMB1AT110封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IMB1AT110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMB1AT110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的IMB1AT110是一款内置预偏置电阻的双极结型晶体管(BJT)阵列器件,属于数字晶体管类型,集成了一个或多个带有内置基极和发射极电阻的BJT。该型号常用于需要简化电路设计、提高可靠性和节省PCB空间的场景。 典型应用场景包括: 1. 逻辑信号电平转换与驱动:在微控制器与外围设备之间进行信号缓冲或电平转换,利用其内置电阻实现稳定开关动作。 2. LED驱动电路:用于便携设备或指示灯控制,通过预偏置设计简化驱动电路,降低元件数量。 3. 开关电源中的小信号控制:如DC-DC转换器的启停控制或反馈回路中的通断调节。 4. 消费类电子产品:广泛应用于智能手机、平板电脑、家用电器等设备中的低功率开关控制。 5. 接口电路保护:作为输入/输出端口的缓冲或隔离元件,防止噪声干扰或过电流影响主控芯片。 IMB1AT110的优势在于集成度高、响应速度快、功耗低,且无需外接偏置电阻,有效缩小电路体积并提升生产一致性。适用于对空间和可靠性要求较高的便携式电子设备和高密度组装场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IMB1AT110 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 56 @ 5mA,5V |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |