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Datasheet下载- 型号： MUN5214DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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MUN5214DW1T1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5214DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5214DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5214DW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MUN5214DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5214DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5214DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管 (BJT) 阵列，属于预偏置类型。以下是该型号的应用场景： 1. 信号放大 - MUN5214DW1T1G 可用于音频和射频信号的放大。其预偏置特性使其在小信号放大应用中表现出色，例如麦克风前置放大器或无线通信设备中的低噪声放大。 2. 开关电路 - 在需要高速切换的场景中，这款晶体管阵列可以作为开关元件使用，例如在数字电路、逻辑电平转换或脉宽调制 (PWM) 控制电路中。 3. 传感器接口 - 该器件适合用于传感器信号的调理电路。例如，在温度传感器、压力传感器或光电二极管的输出信号放大和偏置调整中，MUN5214DW1T1G 的高精度和稳定性非常有用。 4. 电源管理 - 在低功耗系统中，MUN5214DW1T1G 可用于简单的电压调节或电流限制电路。它的预偏置设计简化了电源管理模块的设计流程。 5. 通信设备 - 由于其出色的线性和高频性能，该晶体管阵列适用于通信设备中的信号处理模块，如调制解调器、收发器等。 6. 消费电子产品 - 在便携式设备（如遥控器、蓝牙耳机或智能家居控制器）中，MUN5214DW1T1G 可用于驱动小型负载或实现信号传输功能。 7. 工业控制 - 在工业自动化领域，这款晶体管阵列可用于驱动继电器、小型电机或其他低功率执行器，同时提供稳定的偏置条件以确保可靠运行。 8. 测试与测量 - 该器件也可用于精密仪器的信号处理部分，例如示波器、数据采集系统或信号发生器中的增益级或缓冲级。 总结来说，MUN5214DW1T1G 凭借其预偏置特性和高性能参数，广泛应用于需要精确控制、高效放大和稳定切换的各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5214DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5214DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MUN5214DW1T1GOSCT |
| 典型电阻器比率 | 0.21 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 256 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363(PB-Free)-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | MUN5214DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
